設備結構 | 箱式立式前開門。(內腔尺寸,中21 00mm × 1 700mm); |
烘烤蕞高溫度 | 350 °C; |
常用溫度 | 室溫- 300 °C |
真空系統配置 | 主泵由分子泵(低溫泵)、擴散泵+前級泵及氣動閥門等 |
空載極限真空度 | 3.0 X 10-4 Pa; |
工作真空度 | 系統暴露大氣后恢復真空度4× 10-3Pa,小于15分鐘 |
蒸發源槍 | E型單槍或雙槍,電阻蒸發源 |
離子源 | 霍爾離子源或考夫曼離子源由用戶選配 |
深冷捕集裝置 | 12P、15P可以選擇,蕞低溫度可達一135°C; |
保護裝置 | 門上配備高壓保護裝置(防止漏電)以及開門限位裝置 |
膜層控制儀 | 美國INFICON公司石英晶體控制儀sQC310單探頭(原裝進口) |
其他 | 配1 9寸工控機帶觸摸帶斷電記憶,可實現真空系統自動及鍍膜連續自動控制。 |
設備專門為精密光學薄膜器件鍍膜生產而設計,各系統單元不n總體結構很好地滿足了光學薄膜生產工藝的要求,適用于AR、AF、帶通膜和截止膜等各種膜系的鍍膜。膜厚控制系統、性能優良的電子槍、自動化程度極高的鍍膜控制系統等,是光學薄膜的理想鍍制設備。